Главная
Каталог
Полупроводниковые приборы
Дискретные полупроводниковые приборы
Дискретные модули и модули питания
Диодные модули
Дискретный модуль MSCSM70TAM10CTPAG Microchip Technology
Дискретный модуль MSCSM70TAM10CTPAG Microchip Technology
Дискретный модуль MSCSM70TAM10CTPAG Microchip Technology
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Артикул:
Производитель:
Microchip Technology
Описание:
Дискретный модуль MSCSM70TAM10CTPAG Microchip Technology
Характеристики
Brand
Microchip Technology
Configuration
Triple
Fall Time
20 ns
Id - Continuous Drain Current
238 A
Manufacturer
Microchip
Maximum Operating Temperature
+ 125 C
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Mounting Style
Screw Mount
Package/Case
SP6P
Pd - Power Dissipation
674 W
Product
Power MOSFET Modules
Product Category
Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source Resistance
9.5 mOhms
Rise Time
35 ns
RoHS
Details
Technology
SiC
Transistor Polarity
N-Channel
Type
Phase Leg
Typical Turn-Off Delay Time
50 ns
Typical Turn-On Delay Time
40 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
700 V
Vgs - Gate-Source Voltage
- 10 V, 25 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
1.9 V
Описание
Дискретный модуль MSCSM70TAM10CTPAG Microchip Technology
В каталоге Components.by представлен электронный компонент MSCSM70TAM10CTPAG Microchip Technology . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом MSCSM70TAM10CTPAG , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Характеристики
Brand
Microchip Technology
Configuration
Triple
Fall Time
20 ns
Id - Continuous Drain Current
238 A
Manufacturer
Microchip
Maximum Operating Temperature
+ 125 C
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Mounting Style
Screw Mount
Package/Case
SP6P
Pd - Power Dissipation
674 W
Product
Power MOSFET Modules
Product Category
Discrete Semiconductor Modules
Rds On - Drain-Source Resistance
9.5 mOhms
Rise Time
35 ns
RoHS
Details
Technology
SiC
Transistor Polarity
N-Channel
Type
Phase Leg
Typical Turn-Off Delay Time
50 ns
Typical Turn-On Delay Time
40 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
700 V
Vgs - Gate-Source Voltage
- 10 V, 25 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
1.9 V
Описание
Дискретный модуль MSCSM70TAM10CTPAG Microchip Technology
В каталоге Components.by представлен электронный компонент MSCSM70TAM10CTPAG Microchip Technology . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом MSCSM70TAM10CTPAG , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.

