Главная
Каталог
Полупроводниковые приборы
Дискретные полупроводниковые приборы
Дискретные модули и модули питания
Диодные модули
Дискретный модуль MURT20060 GeneSiC Semiconductor
Дискретный модуль MURT20060 GeneSiC Semiconductor
Дискретный модуль MURT20060 GeneSiC Semiconductor
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Артикул:
MURT20060
Производитель:
GeneSiC Semiconductor
Описание:
Дискретный модуль MURT20060 GeneSiC Semiconductor
Характеристики
Brand
GeneSiC Semiconductor
Manufacturer
GeneSiC Semiconductor
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
SMD/SMT
Package/Case
Three Tower
Product
Rectifier Modules
Product Category
Discrete Semiconductor Modules
RoHS
Details
Series
MURT200
Type
Super Fast Recovery Rectifier Module
Vf - Forward Voltage
1.7 V
Vr - Reverse Voltage
600 V
Описание
Дискретный модуль MURT20060 GeneSiC Semiconductor
В каталоге Components.by представлен электронный компонент MURT20060 GeneSiC Semiconductor . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом MURT20060 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Характеристики
Brand
GeneSiC Semiconductor
Manufacturer
GeneSiC Semiconductor
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Mounting Style
SMD/SMT
Package/Case
Three Tower
Product
Rectifier Modules
Product Category
Discrete Semiconductor Modules
RoHS
Details
Series
MURT200
Type
Super Fast Recovery Rectifier Module
Vf - Forward Voltage
1.7 V
Vr - Reverse Voltage
600 V
Описание
Дискретный модуль MURT20060 GeneSiC Semiconductor
В каталоге Components.by представлен электронный компонент MURT20060 GeneSiC Semiconductor . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом MURT20060 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.