История:
MC-RE5.08V13C-0001
MC-RE3.81V13C-0001
Главная
Каталог
Полупроводниковые приборы
Дискретные полупроводниковые приборы
Дискретные модули и модули питания
Диодные модули
Дискретный модуль STT2200N16P55XPSA1 Infineon Technologies
Дискретный модуль STT2200N16P55XPSA1 Infineon Technologies
Дискретный модуль STT2200N16P55XPSA1 Infineon Technologies
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Артикул:
Производитель:
Infineon Technologies
Описание:
Дискретный модуль STT2200N16P55XPSA1 Infineon Technologies
Характеристики
Brand
Infineon Technologies
Configuration
Dual
Manufacturer
Infineon
Maximum Operating Temperature
+ 125 C
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Package/Case
BG-PS55-1
Product
Diode Power Modules
Product Category
Discrete Semiconductor Modules
RoHS
Details
Transistor Polarity
N-Channel
Type
Soft Starter
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
0.9 V
Описание
Дискретный модуль STT2200N16P55XPSA1 Infineon Technologies
В каталоге Components.by представлен электронный компонент STT2200N16P55XPSA1 Infineon Technologies . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом STT2200N16P55XPSA1 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Характеристики
Brand
Infineon Technologies
Configuration
Dual
Manufacturer
Infineon
Maximum Operating Temperature
+ 125 C
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Package/Case
BG-PS55-1
Product
Diode Power Modules
Product Category
Discrete Semiconductor Modules
RoHS
Details
Transistor Polarity
N-Channel
Type
Soft Starter
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
0.9 V
Описание
Дискретный модуль STT2200N16P55XPSA1 Infineon Technologies
В каталоге Components.by представлен электронный компонент STT2200N16P55XPSA1 Infineon Technologies . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом STT2200N16P55XPSA1 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.