Главная
Каталог
Полупроводниковые приборы
Дискретные полупроводниковые приборы
Дискретные модули и модули питания
Диодные модули
Дискретный модуль VBE60-12A IXYS
Дискретный модуль VBE60-12A IXYS
Дискретный модуль VBE60-12A IXYS
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Характеристики
Brand
IXYS
Manufacturer
IXYS
Maximum Operating Temperature
+ 125 C
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Mounting Style
Screw Mount
Package/Case
SOT-227B-4
Pd - Power Dissipation
110 W
Product
Diode Power Modules
Product Category
Discrete Semiconductor Modules
Type
HiPerFRED
Vf - Forward Voltage
2.68 V
Vr - Reverse Voltage
1.2 kV
Описание
Дискретный модуль VBE60-12A IXYS
В каталоге Components.by представлен электронный компонент VBE60-12A IXYS . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом VBE60-12A , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Характеристики
Brand
IXYS
Manufacturer
IXYS
Maximum Operating Temperature
+ 125 C
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Mounting Style
Screw Mount
Package/Case
SOT-227B-4
Pd - Power Dissipation
110 W
Product
Diode Power Modules
Product Category
Discrete Semiconductor Modules
Type
HiPerFRED
Vf - Forward Voltage
2.68 V
Vr - Reverse Voltage
1.2 kV
Описание
Дискретный модуль VBE60-12A IXYS
В каталоге Components.by представлен электронный компонент VBE60-12A IXYS . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом VBE60-12A , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.