Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
2DB1119S-13

2DB1119S-13

2DB1119S-13
2DB1119S-13
Артикул: 2DB1119S-13
Производитель: Diodes Incorporated
Описание: 2DB1119S-13
Datasheet:
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer Diodes Incorporated
Package/Case SOT-89-3
Transistor Polarity PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 25 V
Collector- Base Voltage VCBO 25 V
Emitter- Base Voltage VEBO 5 V
Gain Bandwidth Product fT 200 MHz
Pd - Power Dissipation 1 W
Minimum Operating Temperature - 55 C
Описание
2DB1119S-13 Биполярный транзистор - 2DB1119S-13Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - 2DB1119S-13 Diodes Incorporated.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer Diodes Incorporated
Package/Case SOT-89-3
Transistor Polarity PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 25 V
Collector- Base Voltage VCBO 25 V
Emitter- Base Voltage VEBO 5 V
Gain Bandwidth Product fT 200 MHz
Pd - Power Dissipation 1 W
Minimum Operating Temperature - 55 C
Описание
2DB1119S-13 Биполярный транзистор - 2DB1119S-13Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - 2DB1119S-13 Diodes Incorporated.
Скачать datasheet