2DB1132Q-13
2DB1132Q-13
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
Diodes Incorporated
Package/Case
SOT-89-3
Transistor Polarity
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- 32 V
Collector- Base Voltage VCBO
- 40 V
Emitter- Base Voltage VEBO
- 5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
- 125 mV
Gain Bandwidth Product fT
190 MHz
Pd - Power Dissipation
1 W
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Описание
2DB1132Q-13 Биполярный транзистор - 2DB1132Q-13Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - 2DB1132Q-13 Diodes Incorporated.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
Diodes Incorporated
Package/Case
SOT-89-3
Transistor Polarity
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- 32 V
Collector- Base Voltage VCBO
- 40 V
Emitter- Base Voltage VEBO
- 5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
- 125 mV
Gain Bandwidth Product fT
190 MHz
Pd - Power Dissipation
1 W
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Описание
2DB1132Q-13 Биполярный транзистор - 2DB1132Q-13Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - 2DB1132Q-13 Diodes Incorporated.
Скачать datasheet