Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
2DB1132Q-13 Diodes Incorporated

2DB1132Q-13 Diodes Incorporated

2DB1132Q-13 Diodes Incorporated
2DB1132Q-13 Diodes Incorporated
Артикул: 2DB1132Q-13
Производитель: Diodes Incorporated
Описание: 2DB1132Q-13 Diodes Incorporated
Datasheet:
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer Diodes Incorporated
Package/Case SOT-89-3
Transistor Polarity PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max - 32 V
Collector- Base Voltage VCBO - 40 V
Emitter- Base Voltage VEBO - 5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage - 125 mV
Gain Bandwidth Product fT 190 MHz
Pd - Power Dissipation 1000 mW
Minimum Operating Temperature - 55 C
Brand Diodes Incorporated
Configuration Single
DC Collector/Base Gain hFE Min 120
Factory Pack Quantity 2500
Height 1.5 mm
Length 4.5 mm
Maximum DC Collector Current - 1 A
Mounting Style SMD/SMT
Packaging Reel
Product Category Bipolar Transistors - BJT
Product Type BJTs - Bipolar Transistors
Qualification AEC-Q101
RoHS Details
Series 2DB11
Subcategory Transistors
Technology Si
Unit Weight 52 mg
Width 2.48 mm
Описание
Биполярный транзистор 2DB1132Q-13 Diodes Incorporated В каталоге Components.by представлен электронный компонент 2DB1132Q-13 Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом 2DB1132Q-13 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer Diodes Incorporated
Package/Case SOT-89-3
Transistor Polarity PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max - 32 V
Collector- Base Voltage VCBO - 40 V
Emitter- Base Voltage VEBO - 5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage - 125 mV
Gain Bandwidth Product fT 190 MHz
Pd - Power Dissipation 1000 mW
Minimum Operating Temperature - 55 C
Brand Diodes Incorporated
Configuration Single
DC Collector/Base Gain hFE Min 120
Factory Pack Quantity 2500
Height 1.5 mm
Length 4.5 mm
Maximum DC Collector Current - 1 A
Mounting Style SMD/SMT
Packaging Reel
Product Category Bipolar Transistors - BJT
Product Type BJTs - Bipolar Transistors
Qualification AEC-Q101
RoHS Details
Series 2DB11
Subcategory Transistors
Technology Si
Unit Weight 52 mg
Width 2.48 mm
Описание
Биполярный транзистор 2DB1132Q-13 Diodes Incorporated В каталоге Components.by представлен электронный компонент 2DB1132Q-13 Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом 2DB1132Q-13 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet