2N3055AG
2N3055AG
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ON Semiconductor
Package/Case
TO-204-2
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
60 V
Collector- Base Voltage VCBO
200 V
Emitter- Base Voltage VEBO
7 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.1 V
Gain Bandwidth Product fT
6 MHz
Pd - Power Dissipation
115 W
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Описание
2N3055AG Биполярный транзистор - 2N3055AGБиполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - 2N3055AG ON Semiconductor.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ON Semiconductor
Package/Case
TO-204-2
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
60 V
Collector- Base Voltage VCBO
200 V
Emitter- Base Voltage VEBO
7 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.1 V
Gain Bandwidth Product fT
6 MHz
Pd - Power Dissipation
115 W
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Описание
2N3055AG Биполярный транзистор - 2N3055AGБиполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - 2N3055AG ON Semiconductor.
Скачать datasheet