2N3055G
2N3055G
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ON Semiconductor
Package/Case
TO-204-2
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
60 V
Collector- Base Voltage VCBO
100 V
Emitter- Base Voltage VEBO
7 V
Gain Bandwidth Product fT
2.5 MHz
Pd - Power Dissipation
115 W
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Описание
2N3055G Биполярный транзистор - 2N3055GБиполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - 2N3055G ON Semiconductor.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ON Semiconductor
Package/Case
TO-204-2
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
60 V
Collector- Base Voltage VCBO
100 V
Emitter- Base Voltage VEBO
7 V
Gain Bandwidth Product fT
2.5 MHz
Pd - Power Dissipation
115 W
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Описание
2N3055G Биполярный транзистор - 2N3055GБиполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - 2N3055G ON Semiconductor.
Скачать datasheet