2N3117
2N3117
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 200 C
Manufacturer
Central Semiconductor
Package/Case
TO-18
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
60 V
Collector- Base Voltage VCBO
60 V
Emitter- Base Voltage VEBO
6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
350 mV
Gain Bandwidth Product fT
60 MHz
Описание
2N3117 Биполярный транзистор - 2N3117Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - 2N3117 Central Semiconductor.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 200 C
Manufacturer
Central Semiconductor
Package/Case
TO-18
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
60 V
Collector- Base Voltage VCBO
60 V
Emitter- Base Voltage VEBO
6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
350 mV
Gain Bandwidth Product fT
60 MHz
Описание
2N3117 Биполярный транзистор - 2N3117Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - 2N3117 Central Semiconductor.
Скачать datasheet

