2N5190G
2N5190G
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ON Semiconductor
Package/Case
TO-225-3
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
40 V
Collector- Base Voltage VCBO
40 V
Emitter- Base Voltage VEBO
5 V
Gain Bandwidth Product fT
2 MHz
Pd - Power Dissipation
40 W
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Описание
2N5190G Биполярный транзистор - 2N5190GБиполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - 2N5190G ON Semiconductor.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ON Semiconductor
Package/Case
TO-225-3
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
40 V
Collector- Base Voltage VCBO
40 V
Emitter- Base Voltage VEBO
5 V
Gain Bandwidth Product fT
2 MHz
Pd - Power Dissipation
40 W
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Описание
2N5190G Биполярный транзистор - 2N5190GБиполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - 2N5190G ON Semiconductor.
Скачать datasheet