2N5210
2N5210
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
Central Semiconductor
Package/Case
TO-92-3
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
50 V
Collector- Base Voltage VCBO
50 V
Emitter- Base Voltage VEBO
4.5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
700 mV
Gain Bandwidth Product fT
30 MHz
Pd - Power Dissipation
350 mW
Описание
2N5210 Биполярный транзистор - 2N5210Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - 2N5210 Central Semiconductor.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
Central Semiconductor
Package/Case
TO-92-3
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
50 V
Collector- Base Voltage VCBO
50 V
Emitter- Base Voltage VEBO
4.5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
700 mV
Gain Bandwidth Product fT
30 MHz
Pd - Power Dissipation
350 mW
Описание
2N5210 Биполярный транзистор - 2N5210Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - 2N5210 Central Semiconductor.
Скачать datasheet