2N5302G
2N5302G
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ON Semiconductor
Package/Case
TO-204-2
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
60 V
Collector- Base Voltage VCBO
60 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
0.75 V
Gain Bandwidth Product fT
2 MHz
Pd - Power Dissipation
200 W
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Описание
2N5302G Биполярный транзистор - 2N5302GБиполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - 2N5302G ON Semiconductor.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ON Semiconductor
Package/Case
TO-204-2
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
60 V
Collector- Base Voltage VCBO
60 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
0.75 V
Gain Bandwidth Product fT
2 MHz
Pd - Power Dissipation
200 W
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Описание
2N5302G Биполярный транзистор - 2N5302GБиполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - 2N5302G ON Semiconductor.
Скачать datasheet