2N5551
2N5551
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
Central Semiconductor
Package/Case
TO-92-3
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
160 V
Collector- Base Voltage VCBO
180 V
Emitter- Base Voltage VEBO
6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
0.2 V
Gain Bandwidth Product fT
300 MHz
Pd - Power Dissipation
625 mW
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Описание
2N5551 Биполярный транзистор - 2N5551Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - 2N5551 Central Semiconductor.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
Central Semiconductor
Package/Case
TO-92-3
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
160 V
Collector- Base Voltage VCBO
180 V
Emitter- Base Voltage VEBO
6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
0.2 V
Gain Bandwidth Product fT
300 MHz
Pd - Power Dissipation
625 mW
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Описание
2N5551 Биполярный транзистор - 2N5551Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - 2N5551 Central Semiconductor.
Скачать datasheet