2N5551BU
2N5551BU
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ON Semiconductor / Fairchild
Package/Case
TO-92-3
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
160 V
Collector- Base Voltage VCBO
180 V
Emitter- Base Voltage VEBO
6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
0.2 V
Gain Bandwidth Product fT
300 MHz
Pd - Power Dissipation
625 mW
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Описание
2N5551BU Биполярный транзистор - 2N5551BUБиполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - 2N5551BU ON Semiconductor / Fairchild.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ON Semiconductor / Fairchild
Package/Case
TO-92-3
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
160 V
Collector- Base Voltage VCBO
180 V
Emitter- Base Voltage VEBO
6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
0.2 V
Gain Bandwidth Product fT
300 MHz
Pd - Power Dissipation
625 mW
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Описание
2N5551BU Биполярный транзистор - 2N5551BUБиполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - 2N5551BU ON Semiconductor / Fairchild.
Скачать datasheet