2N6318
2N6318
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 200 C
Manufacturer
Central Semiconductor
Package/Case
TO-66-2
Transistor Polarity
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
80 V
Collector- Base Voltage VCBO
80 V
Emitter- Base Voltage VEBO
5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2 V
Gain Bandwidth Product fT
4 MHz
Pd - Power Dissipation
90 W
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Описание
2N6318 Биполярный транзистор - 2N6318Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - 2N6318 Central Semiconductor.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 200 C
Manufacturer
Central Semiconductor
Package/Case
TO-66-2
Transistor Polarity
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
80 V
Collector- Base Voltage VCBO
80 V
Emitter- Base Voltage VEBO
5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2 V
Gain Bandwidth Product fT
4 MHz
Pd - Power Dissipation
90 W
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Описание
2N6318 Биполярный транзистор - 2N6318Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - 2N6318 Central Semiconductor.
Скачать datasheet