2N6341G
2N6341G
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ON Semiconductor
Package/Case
TO-204-2
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
150 V
Collector- Base Voltage VCBO
180 V
Emitter- Base Voltage VEBO
6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.8 V
Gain Bandwidth Product fT
40 MHz
Pd - Power Dissipation
200 W
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Описание
2N6341G Биполярный транзистор - 2N6341GБиполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - 2N6341G ON Semiconductor.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ON Semiconductor
Package/Case
TO-204-2
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
150 V
Collector- Base Voltage VCBO
180 V
Emitter- Base Voltage VEBO
6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.8 V
Gain Bandwidth Product fT
40 MHz
Pd - Power Dissipation
200 W
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Описание
2N6341G Биполярный транзистор - 2N6341GБиполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - 2N6341G ON Semiconductor.
Скачать datasheet