2SA1416T-TD-E
2SA1416T-TD-E
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ON Semiconductor
Package/Case
PCP-3
Transistor Polarity
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- 100 V
Emitter- Base Voltage VEBO
6 V
Gain Bandwidth Product fT
120 MHz
Pd - Power Dissipation
500 mW
Описание
2SA1416T-TD-E Биполярный транзистор - 2SA1416T-TD-EБиполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - 2SA1416T-TD-E ON Semiconductor.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ON Semiconductor
Package/Case
PCP-3
Transistor Polarity
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- 100 V
Emitter- Base Voltage VEBO
6 V
Gain Bandwidth Product fT
120 MHz
Pd - Power Dissipation
500 mW
Описание
2SA1416T-TD-E Биполярный транзистор - 2SA1416T-TD-EБиполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - 2SA1416T-TD-E ON Semiconductor.
Скачать datasheet