2SA1419T-TD-H
2SA1419T-TD-H
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ON Semiconductor
Transistor Polarity
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- 160 V
Collector- Base Voltage VCBO
- 180 V
Emitter- Base Voltage VEBO
- 6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
- 200 mV
Gain Bandwidth Product fT
120 MHz
Pd - Power Dissipation
500 mW
Описание
2SA1419T-TD-H Биполярный транзистор - 2SA1419T-TD-HБиполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - 2SA1419T-TD-H ON Semiconductor.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ON Semiconductor
Transistor Polarity
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- 160 V
Collector- Base Voltage VCBO
- 180 V
Emitter- Base Voltage VEBO
- 6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
- 200 mV
Gain Bandwidth Product fT
120 MHz
Pd - Power Dissipation
500 mW
Описание
2SA1419T-TD-H Биполярный транзистор - 2SA1419T-TD-HБиполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - 2SA1419T-TD-H ON Semiconductor.
Скачать datasheet
