Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
2SA2012-TD-E

2SA2012-TD-E

2SA2012-TD-E
2SA2012-TD-E
Артикул: 2SA2012-TD-E
Производитель: ON Semiconductor
Описание: 2SA2012-TD-E
Datasheet:
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer ON Semiconductor
Package/Case SOT-89-3
Transistor Polarity PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max - 30 V
Collector- Base Voltage VCBO - 30 V
Emitter- Base Voltage VEBO - 5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage - 140 mV
Gain Bandwidth Product fT 350 MHz
Pd - Power Dissipation 3.5 W
Описание
2SA2012-TD-E Биполярный транзистор - 2SA2012-TD-EБиполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - 2SA2012-TD-E ON Semiconductor.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer ON Semiconductor
Package/Case SOT-89-3
Transistor Polarity PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max - 30 V
Collector- Base Voltage VCBO - 30 V
Emitter- Base Voltage VEBO - 5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage - 140 mV
Gain Bandwidth Product fT 350 MHz
Pd - Power Dissipation 3.5 W
Описание
2SA2012-TD-E Биполярный транзистор - 2SA2012-TD-EБиполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - 2SA2012-TD-E ON Semiconductor.
Скачать datasheet