2SA2016-TD-E
2SA2016-TD-E
Характеристики
Manufacturer
ON Semiconductor
Package/Case
SOT-89-3
Transistor Polarity
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
50 V
Collector- Base Voltage VCBO
100 V
Emitter- Base Voltage VEBO
6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
240 mV
Gain Bandwidth Product fT
330 MHz
Pd - Power Dissipation
3.5 W
Описание
2SA2016-TD-E Биполярный транзистор - 2SA2016-TD-EБиполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - 2SA2016-TD-E ON Semiconductor.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Manufacturer
ON Semiconductor
Package/Case
SOT-89-3
Transistor Polarity
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
50 V
Collector- Base Voltage VCBO
100 V
Emitter- Base Voltage VEBO
6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
240 mV
Gain Bandwidth Product fT
330 MHz
Pd - Power Dissipation
3.5 W
Описание
2SA2016-TD-E Биполярный транзистор - 2SA2016-TD-EБиполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - 2SA2016-TD-E ON Semiconductor.
Скачать datasheet