2SA2125-TD-H
2SA2125-TD-H
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ON Semiconductor
Package/Case
TO-243-3
Transistor Polarity
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- 50 V
Collector- Base Voltage VCBO
- 50 V
Emitter- Base Voltage VEBO
- 6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
290 mV
Gain Bandwidth Product fT
380 MHz
Pd - Power Dissipation
1.3 W
Описание
2SA2125-TD-H Биполярный транзистор - 2SA2125-TD-HБиполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - 2SA2125-TD-H ON Semiconductor.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ON Semiconductor
Package/Case
TO-243-3
Transistor Polarity
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- 50 V
Collector- Base Voltage VCBO
- 50 V
Emitter- Base Voltage VEBO
- 6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
290 mV
Gain Bandwidth Product fT
380 MHz
Pd - Power Dissipation
1.3 W
Описание
2SA2125-TD-H Биполярный транзистор - 2SA2125-TD-HБиполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - 2SA2125-TD-H ON Semiconductor.
Скачать datasheet