2SAR502U3T106
2SAR502U3T106
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ROHM Semiconductor
Package/Case
SOT-323-3
Transistor Polarity
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- 30 V
Collector- Base Voltage VCBO
- 30 V
Emitter- Base Voltage VEBO
- 6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
- 150 mV
Gain Bandwidth Product fT
520 MHz
Pd - Power Dissipation
200 mW
Описание
2SAR502U3T106
Биполярный транзистор - 2SAR502U3T106
Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - 2SAR502U3T106 ROHM Semiconductor.
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ROHM Semiconductor
Package/Case
SOT-323-3
Transistor Polarity
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- 30 V
Collector- Base Voltage VCBO
- 30 V
Emitter- Base Voltage VEBO
- 6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
- 150 mV
Gain Bandwidth Product fT
520 MHz
Pd - Power Dissipation
200 mW
Описание
2SAR502U3T106
Биполярный транзистор - 2SAR502U3T106
Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - 2SAR502U3T106 ROHM Semiconductor.

