2SAR562F3TR
2SAR562F3TR
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ROHM Semiconductor
Package/Case
DFN2020-3S
Transistor Polarity
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- 30 V
Collector- Base Voltage VCBO
- 30 V
Emitter- Base Voltage VEBO
- 6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
- 150 mV
Gain Bandwidth Product fT
180 MHz
Pd - Power Dissipation
2.1 W
Описание
2SAR562F3TR Биполярный транзистор - 2SAR562F3TRБиполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - 2SAR562F3TR ROHM Semiconductor.
Скачать datasheet
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ROHM Semiconductor
Package/Case
DFN2020-3S
Transistor Polarity
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- 30 V
Collector- Base Voltage VCBO
- 30 V
Emitter- Base Voltage VEBO
- 6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
- 150 mV
Gain Bandwidth Product fT
180 MHz
Pd - Power Dissipation
2.1 W
Описание
2SAR562F3TR Биполярный транзистор - 2SAR562F3TRБиполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - 2SAR562F3TR ROHM Semiconductor.
Скачать datasheet

