История:
STC-DRS-060
2SARA41CHZGT116S
2SARA41CHZGT116S
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ROHM Semiconductor
Package/Case
SOT-23-3
Transistor Polarity
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- 120 V
Collector- Base Voltage VCBO
- 120 V
Emitter- Base Voltage VEBO
- 5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
- 500 mV
Gain Bandwidth Product fT
140 MHz
Pd - Power Dissipation
200 mW
Описание
2SARA41CHZGT116S Биполярный транзистор - 2SARA41CHZGT116SБиполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - 2SARA41CHZGT116S ROHM Semiconductor.
Скачать datasheet
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ROHM Semiconductor
Package/Case
SOT-23-3
Transistor Polarity
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- 120 V
Collector- Base Voltage VCBO
- 120 V
Emitter- Base Voltage VEBO
- 5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
- 500 mV
Gain Bandwidth Product fT
140 MHz
Pd - Power Dissipation
200 mW
Описание
2SARA41CHZGT116S Биполярный транзистор - 2SARA41CHZGT116SБиполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - 2SARA41CHZGT116S ROHM Semiconductor.
Скачать datasheet

