История:
LMV339M/NOPB
2SB1122T-TD-E
2SB1122T-TD-E
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ON Semiconductor
Package/Case
SOT-89-3
Transistor Polarity
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- 50 V
Collector- Base Voltage VCBO
- 60 V
Emitter- Base Voltage VEBO
- 5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
- 180 mV
Gain Bandwidth Product fT
150 MHz
Pd - Power Dissipation
1.3 W
Описание
2SB1122T-TD-E
Биполярный транзистор - 2SB1122T-TD-E
Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - 2SB1122T-TD-E ON Semiconductor.
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ON Semiconductor
Package/Case
SOT-89-3
Transistor Polarity
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- 50 V
Collector- Base Voltage VCBO
- 60 V
Emitter- Base Voltage VEBO
- 5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
- 180 mV
Gain Bandwidth Product fT
150 MHz
Pd - Power Dissipation
1.3 W
Описание
2SB1122T-TD-E
Биполярный транзистор - 2SB1122T-TD-E
Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - 2SB1122T-TD-E ON Semiconductor.