2SB1202S-E
2SB1202S-E
Характеристики
Manufacturer
ON Semiconductor
Package/Case
TO-251-3
Transistor Polarity
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
50 V
Emitter- Base Voltage VEBO
- 6 V
Pd - Power Dissipation
1 W
Описание
2SB1202S-E Биполярный транзистор - 2SB1202S-EБиполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - 2SB1202S-E ON Semiconductor.
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
ON Semiconductor
Package/Case
TO-251-3
Transistor Polarity
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
50 V
Emitter- Base Voltage VEBO
- 6 V
Pd - Power Dissipation
1 W
Описание
2SB1202S-E Биполярный транзистор - 2SB1202S-EБиполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - 2SB1202S-E ON Semiconductor.
Скачать datasheet

