2SB1302S-TD-E
2SB1302S-TD-E
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ON Semiconductor
Package/Case
PCP-3
Transistor Polarity
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- 20 V
Collector- Base Voltage VCBO
- 25 V
Emitter- Base Voltage VEBO
- 5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
- 250 mV
Gain Bandwidth Product fT
320 MHz
Pd - Power Dissipation
1.3 W
Описание
2SB1302S-TD-E
Биполярный транзистор - 2SB1302S-TD-E
Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - 2SB1302S-TD-E ON Semiconductor.
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ON Semiconductor
Package/Case
PCP-3
Transistor Polarity
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- 20 V
Collector- Base Voltage VCBO
- 25 V
Emitter- Base Voltage VEBO
- 5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
- 250 mV
Gain Bandwidth Product fT
320 MHz
Pd - Power Dissipation
1.3 W
Описание
2SB1302S-TD-E
Биполярный транзистор - 2SB1302S-TD-E
Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - 2SB1302S-TD-E ON Semiconductor.