2SC3649T-TD-H
2SC3649T-TD-H
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ON Semiconductor
Package/Case
SOT-89-3
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
160 V
Collector- Base Voltage VCBO
180 V
Emitter- Base Voltage VEBO
6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
130 mV
Gain Bandwidth Product fT
120 MHz
Pd - Power Dissipation
500 mW
Описание
2SC3649T-TD-H Биполярный транзистор - 2SC3649T-TD-HБиполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - 2SC3649T-TD-H ON Semiconductor.
Скачать datasheet
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ON Semiconductor
Package/Case
SOT-89-3
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
160 V
Collector- Base Voltage VCBO
180 V
Emitter- Base Voltage VEBO
6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
130 mV
Gain Bandwidth Product fT
120 MHz
Pd - Power Dissipation
500 mW
Описание
2SC3649T-TD-H Биполярный транзистор - 2SC3649T-TD-HБиполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - 2SC3649T-TD-H ON Semiconductor.
Скачать datasheet