История:
IRG4IBC30KDPBF
2SC4213BTE85LF
2SC4213BTE85LF
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
Toshiba
Package/Case
SOT-323-3
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
20 V
Collector- Base Voltage VCBO
50 V
Emitter- Base Voltage VEBO
25 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
0.042 V
Gain Bandwidth Product fT
30 MHz
Pd - Power Dissipation
100 mW
Описание
2SC4213BTE85LF
Биполярный транзистор - 2SC4213BTE85LF
Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - 2SC4213BTE85LF Toshiba.
Характеристики
Manufacturer
Toshiba
Package/Case
SOT-323-3
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
20 V
Collector- Base Voltage VCBO
50 V
Emitter- Base Voltage VEBO
25 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
0.042 V
Gain Bandwidth Product fT
30 MHz
Pd - Power Dissipation
100 mW
Описание
2SC4213BTE85LF
Биполярный транзистор - 2SC4213BTE85LF
Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - 2SC4213BTE85LF Toshiba.