2SC5551AE-TD-E
2SC5551AE-TD-E
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ON Semiconductor
Package/Case
PCP-3
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
30 V
Collector- Base Voltage VCBO
40 V
Emitter- Base Voltage VEBO
2 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
0.3 V
Gain Bandwidth Product fT
3.5 GHz
Pd - Power Dissipation
1.3 W
Описание
2SC5551AE-TD-E Биполярный транзистор - 2SC5551AE-TD-EБиполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - 2SC5551AE-TD-E ON Semiconductor.
Скачать datasheet
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ON Semiconductor
Package/Case
PCP-3
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
30 V
Collector- Base Voltage VCBO
40 V
Emitter- Base Voltage VEBO
2 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
0.3 V
Gain Bandwidth Product fT
3.5 GHz
Pd - Power Dissipation
1.3 W
Описание
2SC5551AE-TD-E Биполярный транзистор - 2SC5551AE-TD-EБиполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - 2SC5551AE-TD-E ON Semiconductor.
Скачать datasheet