История:
IRG4BC20KDSTRRP
2SC5866TLQ
2SC5866TLQ
Скачать datasheet
Скачать datasheet
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ROHM Semiconductor
Package/Case
TSMT-3
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
60 V
Collector- Base Voltage VCBO
60 V
Emitter- Base Voltage VEBO
6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
200 mV
Gain Bandwidth Product fT
200 MHz
Pd - Power Dissipation
500 mW
Описание
2SC5866TLQ
Биполярный транзистор - 2SC5866TLQ
Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - 2SC5866TLQ ROHM Semiconductor.
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ROHM Semiconductor
Package/Case
TSMT-3
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
60 V
Collector- Base Voltage VCBO
60 V
Emitter- Base Voltage VEBO
6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
200 mV
Gain Bandwidth Product fT
200 MHz
Pd - Power Dissipation
500 mW
Описание
2SC5866TLQ
Биполярный транзистор - 2SC5866TLQ
Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - 2SC5866TLQ ROHM Semiconductor.