Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
2SC5876U3HZGT106Q

2SC5876U3HZGT106Q

2SC5876U3HZGT106Q
2SC5876U3HZGT106Q
Артикул: 2SC5876U3HZGT106Q
Производитель: ROHM Semiconductor
Описание: 2SC5876U3HZGT106Q
Datasheet:
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer ROHM Semiconductor
Package/Case SOT-323-3
Transistor Polarity NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 60 V
Collector- Base Voltage VCBO 60 V
Emitter- Base Voltage VEBO 6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 150 mV
Gain Bandwidth Product fT 300 MHz
Pd - Power Dissipation 200 mW
Minimum Operating Temperature - 55 C
Описание
2SC5876U3HZGT106Q Биполярный транзистор - 2SC5876U3HZGT106QБиполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - 2SC5876U3HZGT106Q ROHM Semiconductor.
Скачать datasheet
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer ROHM Semiconductor
Package/Case SOT-323-3
Transistor Polarity NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 60 V
Collector- Base Voltage VCBO 60 V
Emitter- Base Voltage VEBO 6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 150 mV
Gain Bandwidth Product fT 300 MHz
Pd - Power Dissipation 200 mW
Minimum Operating Temperature - 55 C
Описание
2SC5876U3HZGT106Q Биполярный транзистор - 2SC5876U3HZGT106QБиполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - 2SC5876U3HZGT106Q ROHM Semiconductor.
Скачать datasheet