История:
FS100R17N3E4PB11BPSA1
2SD1805G-E
2SD1805G-E
Характеристики
Manufacturer
ON Semiconductor
Package/Case
TO-251-3
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
20 V
Emitter- Base Voltage VEBO
6 V
Pd - Power Dissipation
1 W
Описание
2SD1805G-E Биполярный транзистор - 2SD1805G-EБиполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - 2SD1805G-E ON Semiconductor.
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
ON Semiconductor
Package/Case
TO-251-3
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
20 V
Emitter- Base Voltage VEBO
6 V
Pd - Power Dissipation
1 W
Описание
2SD1805G-E Биполярный транзистор - 2SD1805G-EБиполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - 2SD1805G-E ON Semiconductor.
Скачать datasheet

