2SD1949T106R
2SD1949T106R
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ROHM Semiconductor
Package/Case
SOT-323-3
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
50 V
Collector- Base Voltage VCBO
50 V
Emitter- Base Voltage VEBO
5 V
Gain Bandwidth Product fT
250 MHz
Pd - Power Dissipation
200 mW
Описание
2SD1949T106R Биполярный транзистор - 2SD1949T106RБиполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - 2SD1949T106R ROHM Semiconductor.
Скачать datasheet
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
ROHM Semiconductor
Package/Case
SOT-323-3
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
50 V
Collector- Base Voltage VCBO
50 V
Emitter- Base Voltage VEBO
5 V
Gain Bandwidth Product fT
250 MHz
Pd - Power Dissipation
200 mW
Описание
2SD1949T106R Биполярный транзистор - 2SD1949T106RБиполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - 2SD1949T106R ROHM Semiconductor.
Скачать datasheet