30C02MH-TL-E
30C02MH-TL-E
Характеристики
Manufacturer
ON Semiconductor
Package/Case
MCPH-3
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
30 V
Emitter- Base Voltage VEBO
5 V
Pd - Power Dissipation
600 mW
Описание
30C02MH-TL-E Биполярный транзистор - 30C02MH-TL-EБиполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - 30C02MH-TL-E ON Semiconductor.
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
ON Semiconductor
Package/Case
MCPH-3
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
30 V
Emitter- Base Voltage VEBO
5 V
Pd - Power Dissipation
600 mW
Описание
30C02MH-TL-E Биполярный транзистор - 30C02MH-TL-EБиполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - 30C02MH-TL-E ON Semiconductor.
Скачать datasheet