APT13005DT-G1
APT13005DT-G1
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
Diodes Incorporated
Package/Case
TO-220AB-3
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
450 V
Emitter- Base Voltage VEBO
9 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
900 mV
Gain Bandwidth Product fT
4 MHz
Pd - Power Dissipation
75 W
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Описание
APT13005DT-G1 Биполярный транзистор - APT13005DT-G1Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - APT13005DT-G1 Diodes Incorporated.
Скачать datasheet
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
Diodes Incorporated
Package/Case
TO-220AB-3
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
450 V
Emitter- Base Voltage VEBO
9 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
900 mV
Gain Bandwidth Product fT
4 MHz
Pd - Power Dissipation
75 W
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Описание
APT13005DT-G1 Биполярный транзистор - APT13005DT-G1Биполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - APT13005DT-G1 Diodes Incorporated.
Скачать datasheet