Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
APT13005SI-G1 Diodes Incorporated

APT13005SI-G1 Diodes Incorporated

APT13005SI-G1 Diodes Incorporated
APT13005SI-G1 Diodes Incorporated
Артикул: APT13005SI-G1
Производитель: Diodes Incorporated
Описание: APT13005SI-G1 Diodes Incorporated
Datasheet:
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer Diodes Incorporated
Package/Case TO-251-3
Transistor Polarity NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 450 V
Emitter- Base Voltage VEBO 9 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 300 mV
Gain Bandwidth Product fT 4 MHz
Pd - Power Dissipation 25 W
Minimum Operating Temperature - 65 C
Brand Diodes Incorporated
Configuration Single
DC Collector/Base Gain hFE Min 20 at 1 A, 5 V
DC Current Gain hFE Max 35 at 1 A, 5 V
Factory Pack Quantity 3600
Maximum DC Collector Current 6.4 A
Mounting Style Through Hole
Packaging Bulk
Product Category Bipolar Transistors - BJT
Product Type BJTs - Bipolar Transistors
RoHS Details
Series APT1300
Subcategory Transistors
Technology Si
Unit Weight 340 mg
Описание
Биполярный транзистор APT13005SI-G1 Diodes Incorporated В каталоге Components.by представлен электронный компонент APT13005SI-G1 Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом APT13005SI-G1 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer Diodes Incorporated
Package/Case TO-251-3
Transistor Polarity NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 450 V
Emitter- Base Voltage VEBO 9 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 300 mV
Gain Bandwidth Product fT 4 MHz
Pd - Power Dissipation 25 W
Minimum Operating Temperature - 65 C
Brand Diodes Incorporated
Configuration Single
DC Collector/Base Gain hFE Min 20 at 1 A, 5 V
DC Current Gain hFE Max 35 at 1 A, 5 V
Factory Pack Quantity 3600
Maximum DC Collector Current 6.4 A
Mounting Style Through Hole
Packaging Bulk
Product Category Bipolar Transistors - BJT
Product Type BJTs - Bipolar Transistors
RoHS Details
Series APT1300
Subcategory Transistors
Technology Si
Unit Weight 340 mg
Описание
Биполярный транзистор APT13005SI-G1 Diodes Incorporated В каталоге Components.by представлен электронный компонент APT13005SI-G1 Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом APT13005SI-G1 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet