BC807-25WT1G
BC807-25WT1G
Характеристики
Manufacturer
ON Semiconductor
Package/Case
SC-70-3
Transistor Polarity
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- 45 V
Emitter- Base Voltage VEBO
- 5 V
Pd - Power Dissipation
460 mW
Описание
BC807-25WT1G Биполярный транзистор - BC807-25WT1GБиполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - BC807-25WT1G ON Semiconductor.
Скачать datasheet
Характеристики
Manufacturer
ON Semiconductor
Package/Case
SC-70-3
Transistor Polarity
PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
- 45 V
Emitter- Base Voltage VEBO
- 5 V
Pd - Power Dissipation
460 mW
Описание
BC807-25WT1G Биполярный транзистор - BC807-25WT1GБиполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - BC807-25WT1G ON Semiconductor.
Скачать datasheet