Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
BC847BFAQ-7B Diodes Incorporated

BC847BFAQ-7B Diodes Incorporated

BC847BFAQ-7B Diodes Incorporated
BC847BFAQ-7B Diodes Incorporated
Артикул: BC847BFAQ-7B
Производитель: Diodes Incorporated
Описание: BC847BFAQ-7B Diodes Incorporated
Datasheet:
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer Diodes Incorporated
Package/Case X2-DFN0806-3
Transistor Polarity NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 45 V
Collector- Base Voltage VCBO 50 V
Emitter- Base Voltage VEBO 6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 122 mV
Gain Bandwidth Product fT 170 MHz
Pd - Power Dissipation 435 mW
Minimum Operating Temperature - 55 C
Brand Diodes Incorporated
Configuration Single
Continuous Collector Current 100 mA
DC Collector/Base Gain hFE Min 200
DC Current Gain hFE Max 470
Factory Pack Quantity 10000
Maximum DC Collector Current 100 mA
Mounting Style SMD/SMT
Packaging Reel
Product Category Bipolar Transistors - BJT
Product Type BJTs - Bipolar Transistors
Qualification AEC-Q101
Subcategory Transistors
Technology Si
Unit Weight 8 g
Описание

Биполярный транзистор BC847BFAQ-7B Diodes Incorporated

В каталоге Components.by представлен электронный компонент BC847BFAQ-7B Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом BC847BFAQ-7B , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.

Скачать datasheet
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer Diodes Incorporated
Package/Case X2-DFN0806-3
Transistor Polarity NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 45 V
Collector- Base Voltage VCBO 50 V
Emitter- Base Voltage VEBO 6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 122 mV
Gain Bandwidth Product fT 170 MHz
Pd - Power Dissipation 435 mW
Minimum Operating Temperature - 55 C
Brand Diodes Incorporated
Configuration Single
Continuous Collector Current 100 mA
DC Collector/Base Gain hFE Min 200
DC Current Gain hFE Max 470
Factory Pack Quantity 10000
Maximum DC Collector Current 100 mA
Mounting Style SMD/SMT
Packaging Reel
Product Category Bipolar Transistors - BJT
Product Type BJTs - Bipolar Transistors
Qualification AEC-Q101
Subcategory Transistors
Technology Si
Unit Weight 8 g
Описание

Биполярный транзистор BC847BFAQ-7B Diodes Incorporated

В каталоге Components.by представлен электронный компонент BC847BFAQ-7B Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом BC847BFAQ-7B , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.

Скачать datasheet