Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
BC847BVN-7 Diodes Incorporated

BC847BVN-7 Diodes Incorporated

BC847BVN-7 Diodes Incorporated
BC847BVN-7 Diodes Incorporated
Артикул: BC847BVN-7
Производитель: Diodes Incorporated
Описание: BC847BVN-7 Diodes Incorporated
Datasheet:
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer Diodes Incorporated
Package/Case SOT-563-6
Transistor Polarity NPN, PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 45 V
Collector- Base Voltage VCBO 50 V
Emitter- Base Voltage VEBO 6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 600 mV
Gain Bandwidth Product fT 300 MHz
Pd - Power Dissipation 150 mW
Minimum Operating Temperature - 65 C
Brand Diodes Incorporated
Configuration Dual
DC Collector/Base Gain hFE Min 200
Factory Pack Quantity 3000
Height 0.6 mm
Length 1.6 mm
Maximum DC Collector Current 200 mA
Mounting Style SMD/SMT
Packaging Reel
Product Category Bipolar Transistors - BJT
Product Type BJTs - Bipolar Transistors
RoHS Details
Series BC847B
Subcategory Transistors
Technology Si
Unit Weight 6 mg
Width 1.2 mm
Описание

Биполярный транзистор BC847BVN-7 Diodes Incorporated

В каталоге Components.by представлен электронный компонент BC847BVN-7 Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом BC847BVN-7 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.

Скачать datasheet
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer Diodes Incorporated
Package/Case SOT-563-6
Transistor Polarity NPN, PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 45 V
Collector- Base Voltage VCBO 50 V
Emitter- Base Voltage VEBO 6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 600 mV
Gain Bandwidth Product fT 300 MHz
Pd - Power Dissipation 150 mW
Minimum Operating Temperature - 65 C
Brand Diodes Incorporated
Configuration Dual
DC Collector/Base Gain hFE Min 200
Factory Pack Quantity 3000
Height 0.6 mm
Length 1.6 mm
Maximum DC Collector Current 200 mA
Mounting Style SMD/SMT
Packaging Reel
Product Category Bipolar Transistors - BJT
Product Type BJTs - Bipolar Transistors
RoHS Details
Series BC847B
Subcategory Transistors
Technology Si
Unit Weight 6 mg
Width 1.2 mm
Описание

Биполярный транзистор BC847BVN-7 Diodes Incorporated

В каталоге Components.by представлен электронный компонент BC847BVN-7 Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом BC847BVN-7 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.

Скачать datasheet