Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

BC847CDLP-7 Diodes Incorporated

BC847CDLP-7 Diodes Incorporated
BC847CDLP-7 Diodes Incorporated
Артикул: BC847CDLP-7
Производитель: Diodes Incorporated
Описание: BC847CDLP-7 Diodes Incorporated
Datasheet:
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer Diodes Incorporated
Package/Case DFN1310H4-6
Transistor Polarity NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 45 V
Collector- Base Voltage VCBO 50 V
Emitter- Base Voltage VEBO 6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 900 mV
Gain Bandwidth Product fT 100 MHz
Pd - Power Dissipation 350 mW
Minimum Operating Temperature - 65 C
Brand Diodes Incorporated
Configuration Dual
DC Collector/Base Gain hFE Min 420
DC Current Gain hFE Max 800
Factory Pack Quantity 3000
Height 0.35 mm
Length 1.3 mm
Maximum DC Collector Current 0.1 A
Mounting Style SMD/SMT
Packaging Reel
Product Category Bipolar Transistors - BJT
Product Type BJTs - Bipolar Transistors
RoHS Details
Series BC847C
Subcategory Transistors
Technology Si
Unit Weight 4,500 g
Width 1 mm
Описание

Биполярный транзистор BC847CDLP-7 Diodes Incorporated

В каталоге Components.by представлен электронный компонент BC847CDLP-7 Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом BC847CDLP-7 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.

Скачать datasheet
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer Diodes Incorporated
Package/Case DFN1310H4-6
Transistor Polarity NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 45 V
Collector- Base Voltage VCBO 50 V
Emitter- Base Voltage VEBO 6 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 900 mV
Gain Bandwidth Product fT 100 MHz
Pd - Power Dissipation 350 mW
Minimum Operating Temperature - 65 C
Brand Diodes Incorporated
Configuration Dual
DC Collector/Base Gain hFE Min 420
DC Current Gain hFE Max 800
Factory Pack Quantity 3000
Height 0.35 mm
Length 1.3 mm
Maximum DC Collector Current 0.1 A
Mounting Style SMD/SMT
Packaging Reel
Product Category Bipolar Transistors - BJT
Product Type BJTs - Bipolar Transistors
RoHS Details
Series BC847C
Subcategory Transistors
Technology Si
Unit Weight 4,500 g
Width 1 mm
Описание

Биполярный транзистор BC847CDLP-7 Diodes Incorporated

В каталоге Components.by представлен электронный компонент BC847CDLP-7 Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом BC847CDLP-7 , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.

Скачать datasheet