Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
BC856B-13-F Diodes Incorporated

BC856B-13-F Diodes Incorporated

BC856B-13-F Diodes Incorporated
BC856B-13-F Diodes Incorporated
Артикул: BC856B-13-F
Производитель: Diodes Incorporated
Описание: BC856B-13-F Diodes Incorporated
Datasheet:
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer Diodes Incorporated
Package/Case SOT-23-3
Transistor Polarity PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max - 65 V
Collector- Base Voltage VCBO - 80 V
Emitter- Base Voltage VEBO - 5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage - 650 mV
Gain Bandwidth Product fT 200 MHz
Pd - Power Dissipation 350 mW
Minimum Operating Temperature - 65 C
Brand Diodes Incorporated
Configuration Single
Continuous Collector Current - 100 mA
DC Collector/Base Gain hFE Min 220
DC Current Gain hFE Max 475
Factory Pack Quantity 10000
Mounting Style SMD/SMT
Packaging Reel
Product Category Bipolar Transistors - BJT
Product Type BJTs - Bipolar Transistors
RoHS Details
Series BC856B
Subcategory Transistors
Technology Si
Unit Weight 8 mg
Описание

Биполярный транзистор BC856B-13-F Diodes Incorporated

В каталоге Components.by представлен электронный компонент BC856B-13-F Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом BC856B-13-F , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.

Скачать datasheet
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer Diodes Incorporated
Package/Case SOT-23-3
Transistor Polarity PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max - 65 V
Collector- Base Voltage VCBO - 80 V
Emitter- Base Voltage VEBO - 5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage - 650 mV
Gain Bandwidth Product fT 200 MHz
Pd - Power Dissipation 350 mW
Minimum Operating Temperature - 65 C
Brand Diodes Incorporated
Configuration Single
Continuous Collector Current - 100 mA
DC Collector/Base Gain hFE Min 220
DC Current Gain hFE Max 475
Factory Pack Quantity 10000
Mounting Style SMD/SMT
Packaging Reel
Product Category Bipolar Transistors - BJT
Product Type BJTs - Bipolar Transistors
RoHS Details
Series BC856B
Subcategory Transistors
Technology Si
Unit Weight 8 mg
Описание

Биполярный транзистор BC856B-13-F Diodes Incorporated

В каталоге Components.by представлен электронный компонент BC856B-13-F Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом BC856B-13-F , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.

Скачать datasheet