Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

BC856BW-7-F Diodes Incorporated

BC856BW-7-F Diodes Incorporated
BC856BW-7-F Diodes Incorporated
Артикул: BC856BW-7-F
Производитель: Diodes Incorporated
Описание: BC856BW-7-F Diodes Incorporated
Datasheet:
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer Diodes Incorporated
Package/Case SOT-323-3
Transistor Polarity PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max - 65 V
Collector- Base Voltage VCBO - 80 V
Emitter- Base Voltage VEBO - 5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage - 650 mV
Gain Bandwidth Product fT 200 MHz
Pd - Power Dissipation 200 mW
Minimum Operating Temperature - 65 C
Brand Diodes Incorporated
Configuration Single
DC Collector/Base Gain hFE Min 220 at -2 mA, - 5 V
Factory Pack Quantity 3000
Height 1 mm
Length 2.2 mm
Maximum DC Collector Current - 200 mA
Mounting Style SMD/SMT
Packaging Reel
Product Category Bipolar Transistors - BJT
Product Type BJTs - Bipolar Transistors
RoHS Details
Series BC856B
Subcategory Transistors
Technology Si
Unit Weight 5 mg
Width 1.35 mm
Описание

Биполярный транзистор BC856BW-7-F Diodes Incorporated

В каталоге Components.by представлен электронный компонент BC856BW-7-F Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом BC856BW-7-F , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.

Скачать datasheet
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer Diodes Incorporated
Package/Case SOT-323-3
Transistor Polarity PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max - 65 V
Collector- Base Voltage VCBO - 80 V
Emitter- Base Voltage VEBO - 5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage - 650 mV
Gain Bandwidth Product fT 200 MHz
Pd - Power Dissipation 200 mW
Minimum Operating Temperature - 65 C
Brand Diodes Incorporated
Configuration Single
DC Collector/Base Gain hFE Min 220 at -2 mA, - 5 V
Factory Pack Quantity 3000
Height 1 mm
Length 2.2 mm
Maximum DC Collector Current - 200 mA
Mounting Style SMD/SMT
Packaging Reel
Product Category Bipolar Transistors - BJT
Product Type BJTs - Bipolar Transistors
RoHS Details
Series BC856B
Subcategory Transistors
Technology Si
Unit Weight 5 mg
Width 1.35 mm
Описание

Биполярный транзистор BC856BW-7-F Diodes Incorporated

В каталоге Components.by представлен электронный компонент BC856BW-7-F Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом BC856BW-7-F , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.

Скачать datasheet