Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
BC857B-7-F Diodes Incorporated

BC857B-7-F Diodes Incorporated

BC857B-7-F Diodes Incorporated
BC857B-7-F Diodes Incorporated
Артикул: BC857B-7-F
Производитель: Diodes Incorporated
Описание: BC857B-7-F Diodes Incorporated
Datasheet:
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer Diodes Incorporated
Package/Case SOT-23-3
Transistor Polarity PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max - 45 V
Collector- Base Voltage VCBO - 50 V
Emitter- Base Voltage VEBO - 5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage - 650 mV
Gain Bandwidth Product fT 200 MHz
Pd - Power Dissipation 300 mW
Minimum Operating Temperature - 65 C
Brand Diodes Incorporated
Configuration Single
DC Collector/Base Gain hFE Min 220 at -2 mA, - 5 V
Factory Pack Quantity 3000
Height 1 mm
Length 3.05 mm
Maximum DC Collector Current - 200 mA
Mounting Style SMD/SMT
Packaging Reel
Product Category Bipolar Transistors - BJT
Product Type BJTs - Bipolar Transistors
RoHS Details
Series BC857B
Subcategory Transistors
Technology Si
Unit Weight 8 mg
Width 1.4 mm
Описание

Биполярный транзистор BC857B-7-F Diodes Incorporated

В каталоге Components.by представлен электронный компонент BC857B-7-F Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом BC857B-7-F , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.

Скачать datasheet
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer Diodes Incorporated
Package/Case SOT-23-3
Transistor Polarity PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max - 45 V
Collector- Base Voltage VCBO - 50 V
Emitter- Base Voltage VEBO - 5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage - 650 mV
Gain Bandwidth Product fT 200 MHz
Pd - Power Dissipation 300 mW
Minimum Operating Temperature - 65 C
Brand Diodes Incorporated
Configuration Single
DC Collector/Base Gain hFE Min 220 at -2 mA, - 5 V
Factory Pack Quantity 3000
Height 1 mm
Length 3.05 mm
Maximum DC Collector Current - 200 mA
Mounting Style SMD/SMT
Packaging Reel
Product Category Bipolar Transistors - BJT
Product Type BJTs - Bipolar Transistors
RoHS Details
Series BC857B
Subcategory Transistors
Technology Si
Unit Weight 8 mg
Width 1.4 mm
Описание

Биполярный транзистор BC857B-7-F Diodes Incorporated

В каталоге Components.by представлен электронный компонент BC857B-7-F Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом BC857B-7-F , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.

Скачать datasheet