Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

BC857BT-7-F Diodes Incorporated

BC857BT-7-F Diodes Incorporated
BC857BT-7-F Diodes Incorporated
Артикул: BC857BT-7-F
Производитель: Diodes Incorporated
Описание: BC857BT-7-F Diodes Incorporated
Datasheet:
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer Diodes Incorporated
Package/Case SOT-523-3
Transistor Polarity PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max - 45 V
Collector- Base Voltage VCBO - 50 V
Emitter- Base Voltage VEBO - 5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage - 300 mV
Gain Bandwidth Product fT 100 MHz
Pd - Power Dissipation 150 mW
Minimum Operating Temperature - 55 C
Brand Diodes Incorporated
Configuration Single
Continuous Collector Current - 0.1 A
DC Collector/Base Gain hFE Min 220
DC Current Gain hFE Max 475 at - 2 mA, - 5 V
Factory Pack Quantity 3000
Height 0.75 mm
Length 1.6 mm
Maximum DC Collector Current - 0.1 A
Mounting Style SMD/SMT
Packaging Reel
Product Category Bipolar Transistors - BJT
Product Type BJTs - Bipolar Transistors
RoHS Details
Series BC857B
Subcategory Transistors
Technology Si
Unit Weight 2 mg
Width 0.8 mm
Описание

Биполярный транзистор BC857BT-7-F Diodes Incorporated

В каталоге Components.by представлен электронный компонент BC857BT-7-F Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом BC857BT-7-F , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.

Скачать datasheet
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer Diodes Incorporated
Package/Case SOT-523-3
Transistor Polarity PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max - 45 V
Collector- Base Voltage VCBO - 50 V
Emitter- Base Voltage VEBO - 5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage - 300 mV
Gain Bandwidth Product fT 100 MHz
Pd - Power Dissipation 150 mW
Minimum Operating Temperature - 55 C
Brand Diodes Incorporated
Configuration Single
Continuous Collector Current - 0.1 A
DC Collector/Base Gain hFE Min 220
DC Current Gain hFE Max 475 at - 2 mA, - 5 V
Factory Pack Quantity 3000
Height 0.75 mm
Length 1.6 mm
Maximum DC Collector Current - 0.1 A
Mounting Style SMD/SMT
Packaging Reel
Product Category Bipolar Transistors - BJT
Product Type BJTs - Bipolar Transistors
RoHS Details
Series BC857B
Subcategory Transistors
Technology Si
Unit Weight 2 mg
Width 0.8 mm
Описание

Биполярный транзистор BC857BT-7-F Diodes Incorporated

В каталоге Components.by представлен электронный компонент BC857BT-7-F Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом BC857BT-7-F , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.

Скачать datasheet