Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

BCP5110TA Diodes Incorporated

BCP5110TA Diodes Incorporated
BCP5110TA Diodes Incorporated
Артикул: BCP5110TA
Производитель: Diodes Incorporated
Описание: BCP5110TA Diodes Incorporated
Datasheet:
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer Diodes Incorporated
Package/Case SOT-223-4
Transistor Polarity PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 45 V
Collector- Base Voltage VCBO 45 V
Emitter- Base Voltage VEBO 5 V
Gain Bandwidth Product fT 125 MHz
Pd - Power Dissipation 2000 mW
Minimum Operating Temperature - 55 C
Brand Diodes Incorporated
Configuration Single
DC Collector/Base Gain hFE Min 63 at 150 mA, 2 V
DC Current Gain hFE Max 63
Factory Pack Quantity 1000
Height 1.65 mm
Length 6.7 mm
Maximum DC Collector Current 1 A
Mounting Style SMD/SMT
Packaging Reel
Product Category Bipolar Transistors - BJT
Product Type BJTs - Bipolar Transistors
Series BCP51
Subcategory Transistors
Technology Si
Unit Weight 112 mg
Width 3.7 mm
Описание

Биполярный транзистор BCP5110TA Diodes Incorporated

В каталоге Components.by представлен электронный компонент BCP5110TA Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом BCP5110TA , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.

Скачать datasheet
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer Diodes Incorporated
Package/Case SOT-223-4
Transistor Polarity PNP
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 45 V
Collector- Base Voltage VCBO 45 V
Emitter- Base Voltage VEBO 5 V
Gain Bandwidth Product fT 125 MHz
Pd - Power Dissipation 2000 mW
Minimum Operating Temperature - 55 C
Brand Diodes Incorporated
Configuration Single
DC Collector/Base Gain hFE Min 63 at 150 mA, 2 V
DC Current Gain hFE Max 63
Factory Pack Quantity 1000
Height 1.65 mm
Length 6.7 mm
Maximum DC Collector Current 1 A
Mounting Style SMD/SMT
Packaging Reel
Product Category Bipolar Transistors - BJT
Product Type BJTs - Bipolar Transistors
Series BCP51
Subcategory Transistors
Technology Si
Unit Weight 112 mg
Width 3.7 mm
Описание

Биполярный транзистор BCP5110TA Diodes Incorporated

В каталоге Components.by представлен электронный компонент BCP5110TA Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом BCP5110TA , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.

Скачать datasheet