BCP5510TA
BCP5510TA
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
Diodes Incorporated
Package/Case
SOT-223-4
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
60 V
Collector- Base Voltage VCBO
60 V
Emitter- Base Voltage VEBO
5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
500 mV
Gain Bandwidth Product fT
150 MHz
Pd - Power Dissipation
2 W
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Описание
BCP5510TA Биполярный транзистор - BCP5510TAБиполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - BCP5510TA Diodes Incorporated.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Manufacturer
Diodes Incorporated
Package/Case
SOT-223-4
Transistor Polarity
NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
60 V
Collector- Base Voltage VCBO
60 V
Emitter- Base Voltage VEBO
5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
500 mV
Gain Bandwidth Product fT
150 MHz
Pd - Power Dissipation
2 W
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Описание
BCP5510TA Биполярный транзистор - BCP5510TAБиполярные транзисторы - BJT доступны в электронном каталоге Components.by. Каталог Components.by предоставляет данные по товарно-материальным запасам, ценам на них и листам данных на биполярный транзистор - BCP5510TA Diodes Incorporated.
Скачать datasheet