Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
BCP5510TA Diodes Incorporated

BCP5510TA Diodes Incorporated

BCP5510TA Diodes Incorporated
BCP5510TA Diodes Incorporated
Артикул: BCP5510TA
Производитель: Diodes Incorporated
Описание: BCP5510TA Diodes Incorporated
Datasheet:
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer Diodes Incorporated
Package/Case SOT-223-4
Transistor Polarity NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 60 V
Collector- Base Voltage VCBO 60 V
Emitter- Base Voltage VEBO 5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 500 mV
Gain Bandwidth Product fT 150 MHz
Pd - Power Dissipation 2000 mW
Minimum Operating Temperature - 55 C
Brand Diodes Incorporated
Configuration Single
DC Collector/Base Gain hFE Min 63
DC Current Gain hFE Max 160
Factory Pack Quantity 1000
Height 1.65 mm
Length 6.7 mm
Maximum DC Collector Current 1 A
Mounting Style SMD/SMT
Packaging Reel
Product Category Bipolar Transistors - BJT
Product Type BJTs - Bipolar Transistors
RoHS Details
Series BCP55
Subcategory Transistors
Technology Si
Unit Weight 112 mg
Width 3.7 mm
Описание
Биполярный транзистор BCP5510TA Diodes Incorporated В каталоге Components.by представлен электронный компонент BCP5510TA Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом BCP5510TA , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet
В наличии
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer Diodes Incorporated
Package/Case SOT-223-4
Transistor Polarity NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 60 V
Collector- Base Voltage VCBO 60 V
Emitter- Base Voltage VEBO 5 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 500 mV
Gain Bandwidth Product fT 150 MHz
Pd - Power Dissipation 2000 mW
Minimum Operating Temperature - 55 C
Brand Diodes Incorporated
Configuration Single
DC Collector/Base Gain hFE Min 63
DC Current Gain hFE Max 160
Factory Pack Quantity 1000
Height 1.65 mm
Length 6.7 mm
Maximum DC Collector Current 1 A
Mounting Style SMD/SMT
Packaging Reel
Product Category Bipolar Transistors - BJT
Product Type BJTs - Bipolar Transistors
RoHS Details
Series BCP55
Subcategory Transistors
Technology Si
Unit Weight 112 mg
Width 3.7 mm
Описание
Биполярный транзистор BCP5510TA Diodes Incorporated В каталоге Components.by представлен электронный компонент BCP5510TA Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом BCP5510TA , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.
Скачать datasheet