Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.
Работаем только с юридическими лицами. Цены указаны справочно без НДС. Возможна отправка товаров транспортной компанией ДПД.

BCW66HQTA Diodes Incorporated

BCW66HQTA Diodes Incorporated
BCW66HQTA Diodes Incorporated
Артикул: BCW66HQTA
Производитель: Diodes Incorporated
Описание: BCW66HQTA Diodes Incorporated
Datasheet:
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer Diodes Incorporated
Package/Case SOT-23-3
Transistor Polarity NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 45 V
Collector- Base Voltage VCBO 75 V
Emitter- Base Voltage VEBO 7 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 0.7 mV
Gain Bandwidth Product fT 100 MHz
Pd - Power Dissipation 350 mW
Minimum Operating Temperature - 55 C
Brand Diodes Incorporated
Configuration Single
Continuous Collector Current 800 mA
DC Collector/Base Gain hFE Min 250
DC Current Gain hFE Max 630
Factory Pack Quantity 3000
Maximum DC Collector Current 800 mA
Mounting Style SMD/SMT
Packaging Reel
Product Category Bipolar Transistors - BJT
Product Type BJTs - Bipolar Transistors
Qualification AEC-Q101
RoHS Details
Subcategory Transistors
Technology Si
Unit Weight 8 mg
Описание

Биполярный транзистор BCW66HQTA Diodes Incorporated

В каталоге Components.by представлен электронный компонент BCW66HQTA Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом BCW66HQTA , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.

Скачать datasheet
Характеристики
Maximum Operating Temperature + 150 C
Manufacturer Diodes Incorporated
Package/Case SOT-23-3
Transistor Polarity NPN
Collector- Emitter Voltage VCEO Max 45 V
Collector- Base Voltage VCBO 75 V
Emitter- Base Voltage VEBO 7 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 0.7 mV
Gain Bandwidth Product fT 100 MHz
Pd - Power Dissipation 350 mW
Minimum Operating Temperature - 55 C
Brand Diodes Incorporated
Configuration Single
Continuous Collector Current 800 mA
DC Collector/Base Gain hFE Min 250
DC Current Gain hFE Max 630
Factory Pack Quantity 3000
Maximum DC Collector Current 800 mA
Mounting Style SMD/SMT
Packaging Reel
Product Category Bipolar Transistors - BJT
Product Type BJTs - Bipolar Transistors
Qualification AEC-Q101
RoHS Details
Subcategory Transistors
Technology Si
Unit Weight 8 mg
Описание

Биполярный транзистор BCW66HQTA Diodes Incorporated

В каталоге Components.by представлен электронный компонент BCW66HQTA Diodes Incorporated . Для уточнения цены, сроков поставки или приобретения электронного компонента с артикулом BCW66HQTA , воспользуйтесь формой обратной связи или свяжитесь с нами по телефону.

Скачать datasheet